VASP基础培训第十一期

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VASP基础第十一期

上课时间:09月23日 至 25年09月

¥5962.22

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课程概述

目录

往期学员作业()

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老师介绍

  • 朱营长

    朱营长

    朱建伟主要从事VASP计算材料性质与VASP教学工作,主要研究领域为闪烁材料的晶体缺陷性质、二维材料异质结构电化学性质,在ASC Applied Materials & Interfaces等期刊上发表30余篇研究论文
简  介 4.5天课程中,我们先用半天时间完成DFT理论和Linux的入门,随后通过4天高强度实操课程,沿着建模、优化、性质计算、实际应用的思路,带大家一步步操作,完成计算案例,扎扎实实搞定DFT理论计算实操。

VASP软件操作与晶体性质计算培训课程表

第一天

09:00-10:00

第一性原理计算、密度泛函理论

第一性原理计算应用范围(结构性质、电子性质、力学性质、光学性质、磁学性质)、波恩-奥本海默近似、Khon-Sham方程、交换关联势

10:00-11:00

VASP运行流程

VASP 波函数基组、自洽循环流程图、 赝势、输入输出文件

11:00-12:00

Linux 操作系统命令

基础命令、Shell 脚本、for 循环语句、if 判断语句

14:00-15:00

晶体结构性质1

晶体结构构建与结构优化,输出文件(结构、能量、本征值等)

15:00-16:00

晶体结构性质2

压强对晶体结构的影响,包括压强参数设置,系统能量变化。缺陷对晶体结构的影响,包括缺陷位置坐标设置、晶格常数变化、原子振动频率

16:00-17:00

晶体结构性质3

晶体表面模型构建与结构优化,包括ASE软件与slab模型介绍、原子坐标固定

第二天

09:00-10:00

非晶结构性质

分子动力学(AIMD)模拟、晶体熔化、非晶结构构建

10:00-11:00

晶体弹性性质

通过弹性常数计算获得晶体的体积模量、切变模量等弹性模量,分析压强对弹性常数的影响

11:00-12:00

晶体电子性质1-电荷密度

电荷密度分布、bader电荷计算与分析,VESTA生成三维与二维电荷密度图

14:00-15:00

晶体电子性质2-电子态密度

电子态密度计算与数据结构介绍,gnuplot绘制总、分态密度,禁带宽度数据获取

15:00-16:00

晶体电子性质3-晶体轨道哈密顿布据数

LOBSTER软件原理、输入输出文件。gnuplot软件绘制COHP图,晶体中原子间相互作用分析

16:00-17:00

晶体电子性质4-能带结构

能带结构计算、数据处理脚本、gnuplot软件绘制能带图、带隙类型分析

第三天

09:00-10:00

晶体光学性质

通过介电函数计算获得晶体的折射率、消光系数、反射率、吸收系数、能量损失函数

10:00-11:00

杂化泛函

DFT低估带隙的原因,杂化泛函的组成、计算参数设置,对能带结构及禁带宽度计算结果的影响、对计算资源的需求

11:00-12:00

晶体磁学性质

无磁性、铁磁性、反铁磁性初始磁矩的设置,磁性结构优化,分析原子磁矩对晶格常数、能量的影响

14:00-15:00

强关联体系

Hubbard模型、LDA(GGA)+U参数设置、U值确定、U值对晶格常数、原子磁矩的影响

15:00-16:00

晶体缺陷-结构性质1

文献案例介绍,基本概念讲解(缺陷模型、电荷态、形成能、转变能级、原子化学势、电子化学势、费米能级、缺陷扩散、虚频消除)

16:00-17:00

晶体缺陷-结构性质2

晶体模型构建与结构优化计算,原子化学势边界计算与分析,空位模型构建与结构优化、电荷态设置、形成能计算

第四天

09:00-10:00

晶体缺陷结构性质3

间隙位模型构建与结构优化、间隙位位点判断、电荷态设置、形成能计算

10:00-11:00

晶体缺陷结构性质4

空位、间隙位扩散路径上初态和末态模型构建、初始扩散路径设置与调整、扩散能垒计算与分析、过渡态振动频率计算,虚频消除方法介绍

11:00-12:00

晶体缺陷电子性质1

文献案例介绍、基本概念讲解(n、p型缺陷)、含空位与间隙位晶体的电荷密度分布

14:00-15:00

晶体缺陷电子性质2

缺陷电子态密度、缺陷态的空间分布(电荷密度投影)

15:00-16:00

晶体电化学性质1

文献案例介绍、基本概念讲解(Li离子电池电化学反应、电位、离子容量、离子扩散路径与能垒)

16:00-17:00

晶体电化学性质2

电极材料离子容量、电位、离子扩散路径与能垒计算与分析

 

 

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* 课程提供者:深圳华算科技有限公司